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歐洲開發下一代MEMS應用關鍵技術

102/10/04 20874

李俊宏｜國家實驗研究院高速網路與計算中心高速計算技術與應用組

為了強化歐洲MEMS產業在世界的競爭力和促進未來產業的發展，歐洲奈米科技方案諮詢委員會聯合企業(ENIAC JU)通過由意法半導體(STMicroelectronics)所主導的Lab4MEMS專案計畫，該計畫總經費2800萬歐元，自2013年1月開始執行，為期30個月，意法半導體將與歐洲各大學和相關研究機構共同合作開發下一代MEMS元件應用的關鍵技術和試產生產線，其主要重點在將壓電與磁性薄膜材料製程和現有MEMS矽微加工製程技術整合，以及結合3D IC等先進電子封裝技術，以提供在系統單晶片上實現創新微致動器和感測器的平台。

透過壓電薄膜特性可使MEMS元件產生更大的位移、具有更高的感測能力及能量密度，可利用它來製造智慧型感測器、致動器、微型泵浦和能量收集器，以滿足未來巨量資料儲存裝置、噴墨印表機、醫療保健裝置和綠能等消費性電子應用的需求。應用磁性薄膜材料特性如異向性磁阻（Anisotropic Magneto Resistive，AMR）效應，則能感測周遭環境磁場的方向和強度，利用它所製造各類的磁阻傳感器，可廣泛運用於輪速測量等車用各式感測電子系統，以及各行動裝置之電子羅盤等定位導航應用的需求。

該專案計畫還將開發先進封裝技術和晶片垂直互連技術，包含覆晶技術（flip-chip）、直通矽晶穿孔技術（through-silicon vias）和封裝通孔技術（through-mold vias）以實現3D的微系統整合元件，主要之應用為人體局部感測器和遠端健康監護等醫療保健裝置。

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資料來源

轉載自「國研院高速網路與計算中心88期電子報」

3D IC(3) MEMS(3)

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