科技
102/07/24
高功率元件新革命-氮化鎵奈米製程技術
2012到2013年高功率發光二極體(HB LED)在市場過度樂觀與廠商不斷擴廠投資下,導致供過於求,多家LED生產大廠設備利用率偏低。但危機正是契機,多家藍光LED製造商將其專研於氮化鎵(GaN)材料的優勢,引入奈米製程技術,進而轉型生產氮化鎵高功率元件。
黃承揚|
英商牛津儀器